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開關(guān)電源元器件之Mos損壞主要原因
來(lái)源:東莞市成良智能科技 | 作者:666power | 發(fā)布時(shí)間: 1921天前 | 1926 次瀏覽 | 分享到:
作為開關(guān)電源之元器件的MOS來(lái)說(shuō),對(duì)他們的要求是很高的,盡管質(zhì)量再過(guò)硬,但是如果開關(guān)電源在使用過(guò)程中不當(dāng)還是會(huì)造成它的損壞的,那么怎么來(lái)避免呢?下面就來(lái)和大家說(shuō)說(shuō)吧。


作為開關(guān)電源之元器件的MOS來(lái)說(shuō),對(duì)他們的要求是很高的,盡管質(zhì)量再過(guò)硬,但是如果開關(guān)電源在使用過(guò)程中不當(dāng)還是會(huì)造成它的損壞的,那么怎么來(lái)避免呢?下面就來(lái)和大家說(shuō)說(shuō)吧。

Mos在開關(guān)電源等控制器電路中的工作狀態(tài):開通過(guò)程(由截止到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程)、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程(由導(dǎo)通到截止的過(guò)渡過(guò)程)、截止?fàn)顟B(tài)。開關(guān)電源之Mos主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài),開關(guān)損耗(開通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程),導(dǎo)通損耗,截止損耗(漏電流引起的,這個(gè)忽略不計(jì)),還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi),mos即會(huì)正常工作,超出承受范圍,即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗,不同mos這個(gè)差距可能很大。

那么開關(guān)電源之Mos損壞主要原因:
過(guò)流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過(guò)高而燒毀;過(guò)壓----------源漏過(guò)壓擊穿、源柵極過(guò)壓擊穿;靜電----------靜電擊穿。CMOS電路都怕靜電
開關(guān)電源之Mos開關(guān)原理(簡(jiǎn)要)。Mos是電壓驅(qū)動(dòng)型器件,只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓,源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻,就是導(dǎo)通電阻。這個(gè)內(nèi)阻大小基本決定了mos芯片能承受的最大導(dǎo)通電流(當(dāng)然和其它因素有關(guān),最有關(guān)的是熱阻)。內(nèi)阻越小承受電流越大(因?yàn)榘l(fā)熱?。?

開關(guān)電源之Mos問(wèn)題遠(yuǎn)沒(méi)這么簡(jiǎn)單,麻煩在它的柵極和源級(jí)間,源級(jí)和漏級(jí)間,柵極和漏級(jí)間內(nèi)部都有等效電容。所以給柵極電壓的過(guò)程就是給電容充電的過(guò)程(電容電壓不能突變),所以開關(guān)電源之mos源級(jí)和漏級(jí)間由截止到導(dǎo)通的開通過(guò)程受柵極電容的充電過(guò)程制約。

然而,這三個(gè)等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系,它們相互影響,并不是獨(dú)立的,如果獨(dú)立的就很簡(jiǎn)單了。其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是柵極和漏級(jí)間的電容Cgd,這個(gè)電容業(yè)界稱為米勒電容。這個(gè)電容不是恒定的,隨柵極和漏級(jí)間電壓變化而迅速變化。因?yàn)檫@個(gè)時(shí)候源級(jí)和漏級(jí)間電壓迅速變化,內(nèi)部電容相應(yīng)迅速充放電,這些開關(guān)電源之電流脈沖會(huì)導(dǎo)致mos寄生電感產(chǎn)生很大感抗,這里面就有電容,電感,電阻組成震蕩電路(能形成2個(gè)回路),并且電流脈沖越強(qiáng)頻率越高震蕩幅度越大。


過(guò)快的充電會(huì)導(dǎo)致激烈的米勒震蕩,但過(guò)慢的充電雖減小了震蕩,但會(huì)延長(zhǎng)開關(guān)從而增加開關(guān)損耗。開關(guān)電源之Mos開通過(guò)程源級(jí)和漏級(jí)間等效電阻相當(dāng)于從無(wú)窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻(導(dǎo)通內(nèi)阻一般低壓mos只有幾毫歐姆)的一個(gè)轉(zhuǎn)變過(guò)程。

這也是高壓控容易燒管子原因,高壓控制器和低壓的只有開關(guān)損耗不一樣(開關(guān)損耗和電池端電壓基本成正比,假設(shè)限流一樣),導(dǎo)通損耗完全受mos內(nèi)阻決定,和電池電壓沒(méi)任何關(guān)系。

其實(shí)整個(gè)mos開通過(guò)程非常復(fù)雜。里面變量太多??傊褪情_關(guān)慢不容易米勒震蕩,但開關(guān)損耗大,管子發(fā)熱大,開關(guān)速度快理論上開關(guān)損耗低(只要能有效抑制米勒震蕩),但是往往米勒震蕩很厲害(如果米勒震蕩很嚴(yán)重,可能在米勒平臺(tái)就燒管子了),反而開關(guān)損耗也大,并且上臂mos震蕩更有可能引起下臂mos誤導(dǎo)通,形成上下臂短路。
所以這個(gè)很考驗(yàn)設(shè)計(jì)師的驅(qū)動(dòng)電路布線和主回路布線技能。最終就是找個(gè)平衡點(diǎn)(一般開通過(guò)程不超過(guò)1us)。開通損耗這個(gè)最簡(jiǎn)單,只和導(dǎo)通電阻成正比,想大電流低損耗找內(nèi)阻低的。