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處理好它們才能獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)電源
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作者:成良智能科技
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發(fā)布時(shí)間: 1458天前
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在開關(guān)電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。只有處理好它們才能獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的電源。
來(lái)看一個(gè)開關(guān)電源之PCB板，垂直安裝的FET，所帶的開關(guān)節(jié)點(diǎn)與鉗位電路延伸至了頂部。輸入連接從左側(cè)進(jìn)入，到達(dá)距漏極連接1cm以內(nèi)的位置。這就是故障點(diǎn)，在這里FET的開關(guān)電壓波形可以繞過(guò)EMI濾波器耦合至輸入。
來(lái)看一個(gè)開關(guān)電源之PCB板，垂直安裝的FET，所帶的開關(guān)節(jié)點(diǎn)與鉗位電路延伸至了頂部。輸入連接從左側(cè)進(jìn)入，到達(dá)距漏極連接1cm以內(nèi)的位置。這就是故障點(diǎn)，在這里FET的開關(guān)電壓波形可以繞過(guò)EMI濾波器耦合至輸入。
在開關(guān)電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。只有處理好它們才能獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的電源。
來(lái)看一個(gè)開關(guān)電源之PCB板，垂直安裝的FET，所帶的開關(guān)節(jié)點(diǎn)與鉗位電路延伸至了頂部。輸入連接從左側(cè)進(jìn)入，到達(dá)距漏極連接1cm以內(nèi)的位置。這就是故障點(diǎn)，在這里FET的開關(guān)電壓波形可以繞過(guò)EMI濾波器耦合至輸入。
注意，漏極連接與輸入引線之間有一些由輸入電容器提供的屏蔽。開關(guān)電源之PCB板上的電容器的外殼連接至主接地，可為共模電流提供返回主接地的路徑。從一條曲線上看，因?yàn)樗从吵隽藥讉€(gè)問(wèn)題：明顯超出了規(guī)范要求的較低頻率輻射、共模問(wèn)題通常很明顯的1MHz至2MHz組件，以及較高頻率組件的衰減正弦(x)/x分布。
我們?cè)诠收宵c(diǎn)位置為EMI規(guī)范獲得了大約6dB的裕量。此外，我們還顯著減少了總體EMI簽名。所有這些改善都僅僅是因?yàn)椴季值恼{(diào)整，并未改變電路。如果您的開關(guān)電源之電路具有高電壓開關(guān)并使用了屏蔽距離，您需要非常小心地對(duì)其進(jìn)行控制。
總之，來(lái)自離線開關(guān)電源開關(guān)節(jié)點(diǎn)的100fF電容會(huì)導(dǎo)致超出規(guī)范要求的EMI簽名。這種電容量只需寄生元件便可輕松實(shí)現(xiàn)，例如對(duì)漏極連接進(jìn)行路由，使其靠近輸入引線。通常可通過(guò)改善間距或屏蔽來(lái)解決該問(wèn)題。要想獲得更大衰減，需要增加濾波或減緩電路波形。